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厂商型号

2SC6043 

产品描述

Trans GP BJT NPN 50V 2A 3-Pin Case MP

内部编号

277-2SC6043

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:2700
最小起订量:1
美国加州
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2SC6043产品详细规格

规格书 2SC6043 datasheet 规格书
2SC6043
2SC6043 datasheet 规格书
标准包装 500
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic)(最大) 2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 300mV @ 50mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 200 @ 100mA, 2V
功率 - 最大 1W
频率转换 420MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供应商器件封装 3-MP
包装材料 Bulk
集电极最大直流电流 2
最小直流电流增益 200@100mA@2V|40@1.5A@2V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最大集电极基极电压 80
最低工作温度 -55
包装高度 8.5
安装 Through Hole
最大功率耗散 1000
最大基地发射极电压 6
Maximum Transition Frequency 420(Typ)
PCB 3
每个芯片的元件数 1
包装宽度 4.7
供应商封装形式 Case MP
包装长度 6
最大集电极发射极电压 50
类型 NPN
引脚数 3
电流 - 集电极( Ic)(最大) 2A
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 420MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 300mV @ 50mA, 1A
标准包装 500
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 3-MP
封装 Bulk
功率 - 最大 1W
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 Long Body
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 200 @ 100mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
晶体管极性 NPN
最大功率耗散 1 W
直流集电极/增益hfe最小值 200 mA
集电极 - 发射极最大电压VCEO 50 V
连续集电极电流 2 A
RoHS RoHS Compliant
安装风格 Through Hole
增益带宽产品fT 420 MHz
系列 2SC6043
品牌 ON Semiconductor
直流电流增益hFE最大值 560 at 100 mA at 2 V
Pd - Power Dissipation 1 W
集电极 - 基极电压VCBO 80 V
最低工作温度 - 55 C
集电极 - 发射极饱和电压 150 mV
集电极最大直流电流 4 A
配置 Single
最高工作温度 + 150 C

2SC6043系列产品

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